💎 Дифузія в Кристалі

Спостерігайте за дифузією атомів розчину через кристалічну гратку за вакансійним механізмом. Коефіцієнт дифузії підпорядковується закону Арреніуса: D = D₀·exp(−Eₐ/kT).

D: - м²/с
D/D₀: -
Час: 0 с
√(Dt): - нм
Пік C: 1.000

Як це працює

Вакансійний механізм: Дифузія в кристалічних твердих тілах здебільшого відбувається, коли атом переходить у сусіднє вакантне вузлове місце. Ймовірність успішного стрибка визначається тепловою енергією порівняно з бар'єром міграції Ea.

Коефіцієнт дифузії за Арреніусом: D(T) = D0 · exp(−Ea / kBT), де kB = 8,617×10⁻⁵ еВ/К — стала Больцмана. Подвоєння температури різко збільшує D.

Другий закон Фіка: ∂C/∂t = D · ∂²C/∂x². Профіль концентрації C(x,t) еволюціонує від початкового піку (дельта-функція) до гауссіана шириною σ = 2√(Dt).

Аналітичний розв'язок: Для тонкого початкового шару: C(x,t) = C0/[2√(πDt)] · exp(−x²/4Dt). Напівширина масштабується як √(Dt) — дифузійна довжина.

Вид гратки: Верхня панель показує 2D-зріз кристала; атоми забарвлені за локальною концентрацією розчину. Нижня панель відображає C(x,t) із аналітичним гауссіаном.

Про дифузію в кристалі

Ця симуляція моделює поширення атомів розчину крізь кристалічне тверде тіло за вакансійним механізмом: атом стрибає у сусіднє порожнє вузлове місце гратки. Тонкий шар атомів розміщено в центрі, і його профіль концентрації C(x,t) розвивається в часі шляхом чисельного розв’язання другого закону Фіка, ∂C/∂t = D·∂²C/∂x², явною різницевою схемою на одновимірній сітці з 120 комірок.

Коефіцієнт дифузії задається законом Арреніуса D = D₀·exp(−Eₐ/kₕT). Чотири повзунки регулюють температуру T (300–1800 К), енергію активації Eₐ (0,3–3,0 еВ), передекспоненційний множник D₀ та масштаб кроку часу. Штрихована гаусова крива відображає аналітичний розв’язок. Такий тип дифузії лежить в основі реальних процесів: цементації сталі, легування напівпровідників та повзучості лопаток турбін.

Поширені запитання

Що показує ця симуляція?

Вона показує, як атоми розчину дифундують назовні від тонкого центрального джерела крізь кристалічну гратку. Верхня панель забарвлює атоми відповідно до локальної концентрації, а нижня відображає профіль концентрації C(x,t) у нанометрах разом із точним аналітичним гауссовим рішенням.

Що таке вакансійний механізм?

У більшості кристалічних твердих тіл атом переміщується, стрибаючи у сусіднє вільне вузлове місце, а не протискаючись між атомами. Кожен стрибок потребує подолання енергетичного бар’єру міграції, тому дифузія сильно залежить від кількості вакансій і доступної теплової енергії.

Яке рівняння описує профіль концентрації?

Профіль підпорядковується другому закону Фіка, ∂C/∂t = D·∂²C/∂x². Симуляція розв’язує його явною різницевою схемою, автоматично ділячи крок на підкроки, щоб коефіцієнт стійкості D·dt/dx² не перевищував 0,4.

Як обчислюється коефіцієнт дифузії?

Дифузивність розраховується за формулою Арреніуса D = D₀·exp(−Eₐ/kₕT), де стала Больцмана kₕ = 8,617×10⁻⁵ еВ/К. Підвищення температури або зниження енергії активації різко збільшує D, оскільки ці величини входять до показника степеня.

Що регулюють чотири повзунки?

Температура T (300–1800 К) і енергія активації Eₐ (0,3–3,0 еВ) спільно визначають дифузивність через закон Арреніуса. Передекспоненційний множник D₀ масштабує загальну швидкість стрибків, а масштаб кроку часу визначає, наскільки швидко просувається модельований час.

Чому профіль концентрації є гауссовим?

Точкове або шарове джерело, що дифундує за другим законом Фіка, еволюціонує у гаусів профіль, ширина якого зростає з часом. Аналітичний розв’язок має вигляд C(x,t) ∝ exp(−x²/4Dt), тож розмиття визначається виключно добутком Dt. Штрихова зелена крива накладає цей точний результат.

Що означає √(Dt)?

Величина √(Dt) — це дифузійна довжина, міра того, наскільки далеко в середньому перемістилися атоми. Напівширина гауссового профілю масштабується з нею, тому подвоєння часу збільшує розмиття лише приблизно в 1,4 рази, а не вдвічі.

Наскільки симуляція фізично точна?

Дифузивність за Арреніусом і другий закон Фіка є підручниково точними, а різницевий розв’язувач добре збігається з аналітичним гаусовим результатом. Проте модель спрощена: вона одновимірна й континуальна та не враховує дискретні атомні стрибки, кластеризацію дефектів, межі зерен і залежність дифузивності від концентрації.

Чому нагрівання так різко прискорює дифузію?

Температура входить до показника степеня в законі Арреніуса, тому навіть помірне підвищення T дає значне зростання D. Більше атомів набуває достатньої теплової енергії, щоб подолати бар’єр міграції, і кілька сотень кельвінів можуть змінити дифузивність на кілька порядків.

Де дифузія в кристалі застосовується на практиці?

Вона лежить в основі багатьох технологічних процесів: цементації та азотування для зміцнення поверхні сталі, легування кремнієвих пластин для виготовлення транзисторів, гомогенізації литих сплавів, спікання кераміки та повільної повзучості лопаток турбін реактивних двигунів за високих температур.